芯片产业链传出一则新消息！

　　今日（10月19日），在美股夜盘交易中 ，英伟达和台积电股价均大幅拉升 。截至记者发稿
，英伟达上涨1.73%，台积电上涨1.80%
。美指期货亦全线拉升 ，道指期货涨超0.4%
，纳指期货涨超1.3%。

　　消息面上，据韩国《首尔经济日报》报道 ，三星电子将采用台积电3纳米工艺
，生产英伟达下一代定制高带宽存储器（HBM）的核心部件——基础裸片（base die） 。

　　此外，令市场关注的是 ，黄仁勋将发表主题演讲
。当地时间10月20日至22日，英伟达GTC大会将在德国柏林举行
，黄仁勋将在21日发表主题演讲。作为英伟达下半年最受关注的技术与生态大会，本届GTC把重心从“卖GPU”进一步推向“卖AI工厂 ” ，据官方介绍
，大会设有100多场专题分享，覆盖完整人工智能技术栈 ，将聚焦加速计算 、智能体AI（Agentic AI）
、物理AI（Physical AI）、机器人 、开源模型
、AI基础设施等方向 。

　　此前
，三星的HBM产品从作为存储芯片的核心裸片（core die）到承担系统半导体功能的基础裸片均由自家生产
。此次针对英伟达NVHBM，三星决定接受英伟达的技术要求 ，放弃原有的一站式（turnkey）制造方案
，改为分环节协作。

　　据业内人士透露，英伟达已要求负责生产NVHBM的三星电子、SK海力士和美光科技三家供应商 ，均采用台积电3纳米工艺制造基础裸片；同时要求核心裸片统一采用第六代DRAM工艺（代号1c） 。NVHBM是英伟达于8月发布的定制HBM
，基于第七代，即下一代HBM架构HBM4E。英伟达提出上述要求 ，是因为各HBM供应商制造方式不同，同一设计难以保证性能一致；统一标准也可减轻对各家产品逐一验证的负担
。

　　四年前，三星电子曾与台积电合作 ，确保HBM与图形处理器（GPU）连接时兼容台积电的封装工艺；但这是双方首次在HBM制造阶段展开合作。

　　据报道
，对于标准HBM产品，三星电子将维持一站式策略 。其第六代HBM4已于今年早些时候在全球率先量产 ，第七代HBM4E正进行量产验证；这两款产品的基础裸片均采用三星自家4纳米晶圆代工工艺
，核心裸片则在三星华城和平泽园区的1c产线上生产
。

　　对于供应AMD等其他客户的定制HBM，三星计划继续采用一站式方案。同时 ，三星也未排除由自家晶圆代工厂开发和量产NVHBM的可能性 。一位业内人士表示：“三星正在评估能否在自有晶圆代工厂生产NVHBM基础裸片
。这是为应对NVHBM需求可能超出台积电产能而做的对冲准备。
”

（文章来源：券商中国）